KURAGE online | ビジネス の情報 > HfO2 「 HfO2 」 の情報 東大生研など、プロセッサの配線層に混載可能なメモリデバイス技術を開発 2021/6/2 6月1日, HfO2, IGZO, Sn, キャパシタ, コベルコ科研, トランジスタ, プロセッサ, 共同研究, 東京大学, 東大生研, 混載, 生産技術研究所, 神戸製鋼所, 配線層, 酸化物半導体, 集積回路, 電体 東京大学 生産技術研究所(東大生研)は6月1日、神戸製鋼所およびコベルコ科研との共同研究により、Snを添加した酸化物半導体「IGZO」を用いたトランジスタと強誘電体「HfO2」によるキャパシタを集積し、プロセッサの集積回路の配線層に混載可能な...