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「 HfO2 」 の情報 

東大生研など、プロセッサの配線層に混載可能なメモリデバイス技術を開発

東京大学 生産技術研究所(東大生研)は6月1日、神戸製鋼所およびコベルコ科研との共同研究により、Snを添加した酸化物半導体「IGZO」を用いたトランジスタと強誘電体「HfO2」によるキャパシタを集積し、プロセッサの集積回路の配線層に混載可能な...

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