KURAGE online | ビジネス の情報 > 東大生研など、プロセッサの配線層に混載可能なメモリデバイス技術を開発 投稿日:2021年6月2日 東京大学 生産技術研究所(東大生研)は6月1日、神戸製鋼所およびコベルコ科研との共同研究により、Snを添加した酸化物半導体「IGZO」を用いたトランジスタと強誘電体「HfO2」によるキャパシタを集積し、プロセッサの集積回路の配線層に混載可能な ... 6月1日21HfO21IGZO1Sn1キャパシタ1コベルコ科研1トランジスタ2プロセッサ1共同研究16東京大学16東大生研2混載1生産技術研究所1神戸製鋼所3配線層1酸化物半導体1集積回路3電体1 続きを確認する