KURAGE online | ビジネス の情報 > 膜界面構造 「 膜界面構造 」 の情報 反強磁性体による不揮発性メモリの実用化に前進、東大などが信号増幅に成功 2021/4/19 3者, 4月15日, JST, Mn3Sn, マンガン化合物, 主要材料, 化, 反強磁性体, 多層薄膜デバイス, 情報処理デバイス, 東京大学, 次世代, 注目, 理化学研究所, 理研, 科学技術, 膜界面構造, 重金属 東京大学、理化学研究所(理研)、科学技術振興機構(JST)の3者は4月15日、次世代の情報処理デバイスの主要材料として注目を集める反強磁性体であるマンガン化合物「Mn3Sn」と、重金属からなる多層薄膜デバイスの膜界面構造の最適化を試み、電気的に...