反強磁性体における垂直２値状態の電流制御に成功

反強磁性体はスピンの応答速度が強磁性体の場合（ナノ秒）に比べて１００～１０００倍速いピコ秒であり、磁性体間に働く磁気的な相互作用が小さいため、不揮発性メモリーの有力候補であるＭＲＡＭに応用することでＭＲＡＭの超高速化・超低消費電力化・高集積化を可能にします ...関連キーワードはありません